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European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information FF 800 R 12 KF4
11,85 55,2 M8
31,5
130 114
E1
C2
C1
E2
E1 G1 C1 C2
E2 G2
M4
28
7 2,5 deep
40 53
16
18
44 57
2,5 deep
E1
E1
C2
C2
G1
G2
C1
E2
C1
E2
20.03.1998
FF 800 R 12 KF 4
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prufspannung
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (restistive load) storage time (inductive load) fall time (inductive load) turn-on energy loss per pulse turn-off energy loss per pulse
tp=1 ms tC=25C, Transistor /transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. iC=800A, vGE=15V, Tvj=25C iC=800A, vGE=15V, Tvj=125C iC=32mA, vCE=vGE, Tvj=25C fO=1MHz,Tvj=25C,vCE=25V, vGE=0V vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=25C vCE=1200V, vGE=0V, Tvj=125C vCE=0V, vGE=20V, Tvj=25C vCE=0V, vEG=20V, Tvj=25C iC=800A,vCE=600V,vLF=15V,RG=1,2 vLF=15V, Tvj= 25C vLF=15V, Tvj= 125C iC=800A,vCE=600V,vLF=15V,RG=1,2 vLF=15V, Tvj= 25C vLF=15V, Tvj= 125C iC=800A,vCE=600V,vLF=15V,RG=1,2 vLF=15V, Tvj= 25C vLF=15V, Tvj= 125C iC = 800 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH VL = 15 V, RG = 1,2 , Tvj = 125C iC = 400 A, vCE = 600 V, LS = 70 nH VL = 15 V, RG = 1,2 , Tvj = 125C
VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL vCE sat vGE(th) Cies iCES iGES iEGS ton ts tf Eon Eoff min. 4,5 typ. 2,7 3,4 5,5 55 16 80 0,7 0,8 0,9 1 0,10 0,15 130 120
1200 800 1600 5000 20 800 1600 2,5 max. 3,2 4 6,5 400 400
V A A W V A A kV V V V nF mA mA nA nA
Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazitat Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (ohmsche Last) Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
- s - s - s - s - s - s - mWs - mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode Durchlaspannung Ruckstromspitze Sperrverzogerungsladung forward voltage peak reverse recovery current recovered charge iF=800A, vGE=0V, tvj=25C iF=800A, vGE=0V, tvj=125C iF=800A, -diF/dt=4kA/s vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 25C vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 125C iF=800A, -diF/dt=4kA/s vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 25C vRM=600V, vEG = 10V, Tvj = 125C Transistor / transistor, DC Transistor,DC,pro Zweig/per arm Diode, DC, pro Modul/per module Diode, DC, pro Zweig/per arm pro Modul / per Module pro Zweit / per arm vF IRM Qr 2,2 2,0 250 400 26 90 2,7 V 2,5 V -A -A - As - As C/W C/W C/W C/W C/W C/W C C C
Innerer Warmewiderstand
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thermal resistance, junction to case
RthJC
Ubergangs-Warmewiderstand Hochstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur
thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature
RthCK T vj max T c op T stg
0,0125 0,025 0,021 0,042 typ. 0,008 typ. 0,016 150 -40...+125 -40...+125 AI2O3 3 2 8...10 ca. 1500
Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
terminals M6 / tolerance 15% terminals M4 / tolerance +5% / -10% terminals M8 M1 M2 G
Nm Nm Nm g
Bedingung fur den Kurzschluschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 s VCC = 750 V vL = 15 V vCEM = 900 V RGF = RGR = 1,2 iCMK1 5000 A tvj = 125C iCMK2 4000 A Unabhangig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions vCEM = VCES - 20nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
FF 800 R 12 KF4
1600 1400 i C1200 [A] 1000 800 600 400 200 0 1
FF 800 R 12 KF4 / 1
1600 1400 i C1200 [A] 1000 800 600 400 200 2 3 4 v CE [V] 5 0 1
FF 800 R 12 KF4 / 2
VGE = 20 V
15 V 12 V
10 V
9V
8V
2
3
4 vCE [V]
5
Bild / Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sattigungsbereich (typisch) / Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VG E = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C 1600 1400 i C1200 [A] 1000 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 vGE [V] 12 500
t vj = 25C 125C
Bild / Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sattigungsbereich (typisch) / Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) Tvj = 125C
2000
i C 1500 [A] 1000
0 0
200
400
600
800
1000
FF 800 R 12 KF4 / 3
FF 800 R 12 KF4 / 4
1200 vCE [V]
1400
Bild / Fig. 3 Ubertragungscharakteristik (typisch) / Transfer characteristic (typical) VCE = 20 V
Bild / Fig. 4 Ruckwarts-Arbeitsbereich / Reverse biased safe operating area Tvj = 125C vLF = vLR = 15 V RG = 1,2 1600
Diode IGBT
10 -1
7 5
1400 i F 1200 [A] 1000 800 600 400 200
ZthJC 3 [C/W]
2
10 -2
7 5 3 2
10 -3 10
-3
2
34
6
10-2
2
34
6
10-1
2
34
6
100
2
34
6
101
0 0,5
FF 800 R 12 KF4 / 6
1
1,5
2
FF 800 R 12 KF4 / 5
t [s]
2,5 vF [V]
3
Bild / Fig. 5 Transienter Warmewiderstand (DC) / Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 6 Durchlakennlinien der Inversdiode (typisch) Forward characteristics of the inverse diode (typical) Tvj = 25C Tvj = 125C
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